Lithographie Extreme UltraViolet
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La lithographie EUV (Extreme Ultra Violet)[1] est un procédé de photolithographie assez semblable aux procédés de lithographie classiques actuels. Il utilise un rayonnement UV d'une longueur d'ondes de l'ordre de 10 à 15 nanomètres (le rayonnement EUV entre donc dans la gamme des rayons X-mous), en remplaçant les objectifs (ou masques dits « en transmission ») par une série de miroirs de précision (i.e. masques dits « en réflexion »). Il permet ainsi une résolution inférieure à 45 nm. C’est une technologie prometteuse pour le développement industriel des gravures inférieures à 100 nm.
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[modifier] Historique
La demande croissante de miniaturisation des circuits conduit à utiliser des longueurs d’onde de plus en plus petites. Lors du cinquième colloque international sur la lithographie EUV à Barcelone en Octobre 2006, des chercheurs de l’Université de Floride a Orlando (UCF) ont présenté leur expérience de couplage d'un laser de forte puissance à un laser de source plasma, créant un outil efficace pour l’usage d’EUV. La source de lumière produite, d'une longueur d’onde de 13,5 nm, est 30 fois plus puissante que les technologies employées jusque là. Cette technologie radicale développée par l’Université de Floride met en œuvre une conversion de la lumière laser en EUV associée à un procédé d'élimination efficace des particules neutres et chargées qui sont associées à la source plasma. L’étude dirigée par le Professeur Martin Richardson, Directeur du Laser Plasma Laboratory de l'UCF, à associé Powerlase Ltd (UK). L'équipe de Martin Richardson travaille sur les applications des lasers haute puissance et particulièrement le développement de source de lumière EUV et des systèmes optiques a rayons X avancés.
[modifier] Références
[modifier] Voir aussi
- lithographie deep UltraViolet
[modifier] Liens externes
- Présentation du CNRS
- The Laser Plasma Laboratory - University of Central Florida (UCF)
- UCF Research Team Achieves Milestone Toward More Powerful Computer Chips [2]
